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报告题目:SiC功率半导体芯片与封装的进展与技术展望

更新时间:2021-05-25 点击次数:10

报告题目:SiC功率半导体芯片与封装的进展与技术展望

报 告 人:教授、东莞清芯半导体科技有限公司创始人

 时间:20215260900-1000

 地点: 新主楼G1012会议室

 主办:哈尔滨理工大学头雁团队

 承办:

新能源电机系统及关键材料创新中心

汽车电子驱动力控制与系统集成教育部工程研究中心

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报告专家简介:


报告人为东莞清芯半导体科技有限公司创始人,东莞理工国际微电子学院院长,松山湖材料实验室双聘教授。长期致力于宽禁带半导体(SiCGaN)功率半导体芯片的研究和产业化,曾担任西安交通大学电信学院/亚投彩票官网特聘教授,西安交通大学能源转换器件研究中心主任,美国GE全球研究中心主任工程师。拥有美国和国际发明专利40多项,中国发明专利10多项,发表100余篇学术论文,是IEEE功率器件与电路技术委员会委员,功率半导体器件与电路国际会议(ISPSD)和SiC材料与器件国际会议(ICSCRM)技术委员会成员。